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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

3400

1个N沟道 耐压:30V 电流:5.6A

描述
采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
品牌名称
GOFORD(谷峰)
商品型号
3400
商品编号
C5258949
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.034831克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.6A
导通电阻(RDS(on))34mΩ@2.5V,2.8A
耗散功率(Pd)1.4W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))700mV
栅极电荷量(Qg)9.5nC@15V
输入电容(Ciss)820pF@15V
反向传输电容(Crss)77pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

AP2N075E系列采用先进功率公司创新的设计和硅工艺技术,以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种极其高效的器件,适用于广泛的电源应用。 SOT - 23S封装在商业和工业表面贴装应用中广受欢迎,适用于如DC/DC转换器等低压应用。

商品特性

  • 支持2.5V栅极驱动
  • 更低的栅极电荷
  • 快速开关性能
  • 符合RoHS标准且无卤素

数据手册PDF