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ZXMS6004DT8QTA
60V N沟道自保护增强型智能场效应晶体管（IntelliFET MOSFET）
- 描述
- 是一款具有逻辑电平输入的双路自保护低端MOSFET。它集成了过温、过流、过压（有源钳位）和ESD保护逻辑电平功能。适用于在恶劣环境中由3.3V或5V微控制器驱动的通用开关，而标准MOSFET在这种环境中不够耐用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMS6004DT8QTA
- 商品编号
- C5244326
- 商品封装
- SOT-223-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.299875克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.16W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 超小型表面贴装封装
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
应用领域
- 电池充电
- 电源管理功能
- DC-DC转换器