温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ZXMS6004DT8QTA
60V N沟道自保护增强型智能场效应晶体管（IntelliFET MOSFET）
- 描述
- 是一款具有逻辑电平输入的双路自保护低端MOSFET。它集成了过温、过流、过压（有源钳位）和ESD保护逻辑电平功能。适用于在恶劣环境中由3.3V或5V微控制器驱动的通用开关，而标准MOSFET在这种环境中不够耐用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMS6004DT8QTA
- 商品编号
- C5244326
- 商品封装
- SOT-223-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.299875克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.16W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 紧凑型双路封装
- 低输入电流
- 逻辑电平输入(3.3V和5V)
- 带自动重启功能的短路保护
- 过压保护(有源钳位)
- 带自动重启功能的热关断
- 过流保护
- 输入保护(ESD)
- 高连续电流额定值
- 符合AEC - Q101高可靠性标准
- 具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 无铅涂层;符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
-两个完全隔离的独立通道-特别适用于具有高浪涌电流的负载,如灯具和电机-开关应用中的所有类型的电阻性、电感性和电容性负载-适用于12V和24V直流应用的与微控制器兼容的电源开关-符合汽车级标准-可替代机电继电器和分立电路-线性模式能力-限流保护电路设计为在低VDS时停用,以最小化导通状态功耗。因此,最大直流工作电流由封装/电路板组合的热性能决定,而非保护电路。这不会影响产品在低VDS时的自保护能力。