- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRLML0100TRPBF-ALJ
N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：100V N沟道1.6A、高压小电流MOS管。极小封装内实现了高耐压，适合需要高压但空间受限的应用。应用：LED 驱动和负载开关等。
- 品牌名称
- ALJ(龙晶微)
- 商品型号
- IRLML0100TRPBF-ALJ
- 商品编号
- C55258592
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 178mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 290pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 27pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±16V |