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IRLML6402TR-ALJ
P沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：P沟道MOSFET。VDS = -20V, RDS(ON) ≤ 65mΩ @VGS = -4.5V, ID = -3.7A。 超低导通电阻，快速开关。应用：负载开关、电池保护电路等。
- 品牌名称
- ALJ(龙晶微)
- 商品型号
- IRLML6402TR-ALJ
- 商品编号
- C55258627
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031367克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 550mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 633pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 145pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
- LJ2333PT1G
- LJ4414
- BAS21
- BAS21S
- BAS21C
- LJ125-330226-0388-00
- LJ396-133222-0320-00
- TAE32F5620TLH256-K
- TAE32F5620TLH256
- TAE32F5620TLF256A
- TAE32F5620TLF256B
- TAE32F5620TLD256A
- TAE32F5620TLD256B
- TAE32F5620TQE256
- TAE32F5620TQD256
- TAE32F5620TQC256
- TAE32F5610TLD256
- MW310UH
- RVV 3C*0.5mm² 100M/ROLL
- UL1015 6AWG Black 65M/ROLL
- RVV 4C*0.5mm² 20M/ROLL