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LJ4414

N沟道MOSFET

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描述
特性:N-Channel (N沟道),耐压 20V,持续漏极电流 3A。AO4414 使用先进的沟槽技术,提供出色的 RDS(ON)、低栅极电荷,并可在低至 1.8V 的栅极电压下操作。该器件适用于作为负载开关或用于 PWM 应用等。
品牌名称
ALJ(龙晶微)
商品型号
LJ4414
商品编号
C55258632
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.0305克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on))51mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.4W
阈值电压(Vgs(th))700mV
属性参数值
栅极电荷量(Qg)2.9nC
输入电容(Ciss)260pF
反向传输电容(Crss)27pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)48pF
栅极电压(Vgs)±8V

数据手册PDF