LJ2333PT1G

P沟道MOSFET

描述

特性：P沟道，耐压为 -12V，连续漏极电流为 -6A，脉冲电流可达 -20A。LJ2333 采用先进的沟道技术和设计，提供优异的导通电阻（RDS(on)）和低栅极电荷。应用：DC/DC 转换器、便携设备的负载开关、电池充放电保护电路或电池开关等。

品牌名称

ALJ(龙晶微)

商品型号

LJ2333PT1G

商品编号

C55258631

商品封装

SOT-23​

包装方式

编带

商品毛重

0.0311克(g)