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LJ2333PT1G
P沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：P沟道，耐压为 -12V，连续漏极电流为 -6A，脉冲电流可达 -20A。LJ2333 采用先进的沟道技术和设计，提供优异的导通电阻（RDS(on)）和低栅极电荷。应用：DC/DC 转换器、便携设备的负载开关、电池充放电保护电路或电池开关等。
- 品牌名称
- ALJ(龙晶微)
- 商品型号
- LJ2333PT1G
- 商品编号
- C55258631
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0311克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.275nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 236pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 255pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
- LJ4414
- LJ125-330226-0388-00
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