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ALJ3360
N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：60V N沟道3.3A、低压大电流MOS管、功率MOSFET。ALJ3360 的核心优势是在 SOT-23 封装内实现了3.3A 的大电流和极低的导通电阻，特别适合对空间和功耗有严苛要求的锂电池保护板和便携式 DC/DC 转换场景等。
- 品牌名称
- ALJ(龙晶微)
- 商品型号
- ALJ3360
- 商品编号
- C55258597
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0309克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 245pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 36pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |