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SPN2324S23RGB-ALJ
N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：100V N沟道3A、中压MOS管、功率MOSFET。先进沟槽工艺：采用高密度元胞DMOS沟槽技术，优化低栅极电荷、低Rds(on)和快速开关。应用：电源系统、DC/DC 转换器、负载开关等。
- 品牌名称
- ALJ(龙晶微)
- 商品型号
- SPN2324S23RGB-ALJ
- 商品编号
- C55258598
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0307克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC | |
| 输入电容(Ciss) | 508pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 29pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |