LJ6401PT1G

P沟道MOSFET

描述

特性：P沟道MOSFET，电压(VDS)：-12V，电流 (ID)：-4.3A (TA=25°C)，-3.4 A (TA=70°C)。超低导通电阻，开关速度快。低压负载开关特别适合低压逻辑直接驱动的负载开关，用于可穿戴设备、智能手机等。

品牌名称

ALJ(龙晶微)

商品型号

LJ6401PT1G

商品编号

C55258625

商品封装

SOT-23​

包装方式

编带

商品毛重

0.0308克(g)