- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WNM6002-ALJ
N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：N-Channel (N沟道)，耐压 60V，持续漏极电流 0.3A。采用超高密度电池设计和沟槽技术，优异的导通电阻以支持更高的直流电流。应用：继电器、电磁铁、电机等。
- 品牌名称
- ALJ(龙晶微)
- 商品型号
- WNM6002-ALJ
- 商品编号
- C55258606
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中