温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRLML6401TRPBF-ALJ
P沟道MOSFET
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：P沟道MOSFET，电压(VDS)：-12V，电流 (ID)：-4.3A (TA=25°C)，-3.4 A (TA=70°C)。超低导通电阻，开关速度快。低压负载开关特别适合低压逻辑直接驱动的负载开关，用于可穿戴设备、智能手机等。
- 品牌名称
- ALJ(龙晶微)
- 商品型号
- IRLML6401TRPBF-ALJ
- 商品编号
- C55258626
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0365克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 550mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC | |
| 输入电容(Ciss) | 830pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
- IRLML6402TR-ALJ
- LJ2333PT1G
- LJ4414
- BAS21
- BAS21S
- BAS21C
- LJ125-330226-0388-00
- LJ396-133222-0320-00
- TAE32F5620TLH256-K
- TAE32F5620TLH256
- TAE32F5620TLF256A
- TAE32F5620TLF256B
- TAE32F5620TLD256A
- TAE32F5620TLD256B
- TAE32F5620TQE256
- TAE32F5620TQD256
- TAE32F5620TQC256
- TAE32F5610TLD256
- MW310UH
- RVV 3C*0.5mm² 100M/ROLL
- UL1015 6AWG Black 65M/ROLL