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si2301(A1SHB)
P沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：P沟道MOSFET。漏源电压 -20 V，连续漏极电流 -2.8 A。采用先进的沟槽工艺技术，提供优异的导通电阻特性和低栅极电荷。采用SOT-23表面贴装封装。应用：负载开关、DC-DC 转换器、便携式设备和工业控制等领域。
- 品牌名称
- ALJ(龙晶微)
- 商品型号
- si2301(A1SHB)
- 商品编号
- C55258616
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0311克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 24V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 64mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.3nC | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |