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si2301(A1SHB)
P沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：P沟道MOSFET。漏源电压 -20 V，连续漏极电流 -2.8 A。采用先进的沟槽工艺技术，提供优异的导通电阻特性和低栅极电荷。采用SOT-23表面贴装封装。应用：负载开关、DC-DC 转换器、便携式设备和工业控制等领域。
- 品牌名称
- ALJ(龙晶微)
- 商品型号
- si2301(A1SHB)
- 商品编号
- C55258616
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0311克(g)
商品参数
参数完善中