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LJ3409
P沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：P-Channel (P沟道)，耐压 -30V，持续漏极电流 -2.6A (25°C 下) / -2.2A (70°C 下)。采用先进的沟槽技术，提供优异的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。AO3409 是低电流、高散热版本，适合对功耗和热性能要求严格、但电流稍小的便携设备。应用：负载开关或在 PWM 应用中使用。
- 品牌名称
- ALJ(龙晶微)
- 商品型号
- LJ3409
- 商品编号
- C55258601
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029767克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 77mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.3nC | |
| 输入电容(Ciss) | 197pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 42pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |