2N7002T

N沟道MOSFET

描述

特性：N沟道增强型MOSFET。VDS 漏-源电压 60 V。ID 漏极电流（连续） 115 mA。高密度单元设计，实现低 RDS(ON)。 应用：负载开关、便携设备等

品牌名称

ALJ(龙晶微)

商品型号

2N7002T

商品编号

C55258607

商品封装

SOT-523​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)