- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WNM2020-ALJ
N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：20V N沟道2.2A、低压MOS管、小信号MOSFET。采用先进的沟槽设计和技术，在低栅极电荷下实现低导通电阻 。应用：DC-DC 转换、电源开关和充电电路等。
- 品牌名称
- ALJ(龙晶微)
- 商品型号
- WNM2020-ALJ
- 商品编号
- C55258595
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |