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WNM6001-ALJ
N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：60V N沟道0.5A、高压小电流MOS管、小信号MOSFET。采用先进的沟槽设计和技术，在低栅极电荷下实现低导通电阻 。应用：DC-DC 转换、电源开关和充电电路等。
- 品牌名称
- ALJ(龙晶微)
- 商品型号
- WNM6001-ALJ
- 商品编号
- C55258596
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0327克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 690mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 20pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.2pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 7pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |