- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTMFS6H824NLT1G
1个N沟道 耐压:80V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS6H824NLT1G
- 商品编号
- C5208915
- 商品封装
- SO-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 116W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 366pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
SUPERFET V MOSFET FAST系列通过极低的硬开关应用开关损耗，有助于最大化系统效率。TOLL封装通过提供开尔文源极配置和更低的寄生源极电感，实现了更好的热性能和出色的开关性能。
商品特性
- 小尺寸封装(5x6 mm),适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容,以最小化驱动损耗
- 这些器件为无铅产品,符合RoHS标准
应用领域
- 电信/服务器电源
- 电动汽车充电器/不间断电源/太阳能/工业电源