- 引脚图
- 焊盘图
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NTTFS6H888NLTAG
1个N沟道 耐压:80V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTTFS6H888NLTAG
- 商品编号
- C5205651
- 商品封装
- WDFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.274克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 23W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 258pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 36pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 小尺寸封装(3.3 x 3.3 mm),适合紧凑设计
- 低 RDS(on),以最小化传导损耗
- 低电容,以最小化驱动损耗
- 这些器件无铅且符合 RoHS 标准
应用领域
- 负载开关
- 针对便携式设备（如手机、个人数字助理、媒体播放器等）中的电池和负载管理应用进行了优化
- NVA4001NT1G
- NVD2955T4G
- NVJD4158CT1G
- NVJD5121NT2G
- NVMD3P03R2G
- NVMFS021N10MCLT1G
- NVMFS040N10MCLT1G
- NVMJS3D0N06CTWG
- NVMYS9D3N06CLTWG
- NVTFS040N10MCLTAG
- STTFS015N10MCL
- NTBLS1D7N10MCTXG
- NVBLS1D5N10MCTXG
- NVBLS1D7N10MCTXG
- NVLJWD023N04CLTAG
- NVLJWD040N06CLTAG
- NVLJWS011N06CLTAG
- NVLJWS013N03CLTAG
- NVLJWS070N06CLTAG
- NVMFWS003N10MCT1G
- NVMYS005N10MCLTWG