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NTMFS5C645NT1G
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A 电流:94A
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- 描述
- 适用于紧凑和高效设计的商用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装，且具有较高的热性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS5C645NT1G
- 商品编号
- C5205618
- 商品封装
- DFN-5(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 94A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 80W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.51nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款 N 沟道 MOSFET 采用先进的 PowerTrench 技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻，并针对热插拔应用进行了优化。
商品特性
- 栅源电压为 10 V、漏极电流为 5.5 A 时，最大漏源导通电阻 = 37 mΩ
- 栅源电压为 6 V、漏极电流为 5.0 A 时，最大漏源导通电阻 = 41 mΩ
- 低外形——Power 33 封装最大高度 0.8 mm
- 100% 通过 UI1L 测试
- 符合 RoHS 标准
应用领域
-直流-直流转换-PSE 开关
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