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NTMFS003P03P8ZT1G
1个P沟道
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS003P03P8ZT1G
- 商品编号
- C5205615
- 商品封装
- SO-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 234A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 167nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 12.12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.1nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.02nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±25V |
商品特性
- 超低 RDS(on),提升系统效率
- 采用 5x6mm 先进封装技术,节省空间且导热性优异
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合 RoHS 标准
应用领域
-电源负载开关-保护功能:防逆流、过压保护和反向负电压保护-电池管理
- NTMFS005P03P8ZT1G
- NTMFS5C612NT1G
- NTMFS6H824NT1G
- NTTFS6H888NLTAG
- NVA4001NT1G
- NVD2955T4G
- NVJD4158CT1G
- NVJD5121NT2G
- NVMD3P03R2G
- NVMFS021N10MCLT1G
- NVMFS040N10MCLT1G
- NVMJS3D0N06CTWG
- NVMYS9D3N06CLTWG
- NVTFS040N10MCLTAG
- STTFS015N10MCL
- NTBLS1D7N10MCTXG
- NVBLS1D5N10MCTXG
- NVBLS1D7N10MCTXG
- NVLJWD023N04CLTAG
- NVLJWD040N06CLTAG
- NVLJWS011N06CLTAG