- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTMFS5C612NT1G
1个N沟道 耐压:60V
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- 描述
- 适用于紧凑和高效设计的商用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装，具有较高的热性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS5C612NT1G
- 商品编号
- C5205617
- 商品封装
- SO-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 230A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 170W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60.2nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.83nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.18nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 小尺寸封装(5x6 mm),适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容,以最小化驱动损耗
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换器
- 系统电压轨
- NTMFS6H824NT1G
- NVA4001NT1G
- NVD2955T4G
- NVJD4158CT1G
- NVJD5121NT2G
- NVMD3P03R2G
- NVMFS021N10MCLT1G
- NVMFS040N10MCLT1G
- NVMJS3D0N06CTWG
- NVMYS9D3N06CLTWG
- NVTFS040N10MCLTAG
- STTFS015N10MCL
- NTBLS1D7N10MCTXG
- NVBLS1D5N10MCTXG
- NVBLS1D7N10MCTXG
- NVLJWD023N04CLTAG
- NVLJWD040N06CLTAG
- NVLJWS011N06CLTAG
- NVLJWS013N03CLTAG
- NVLJWS070N06CLTAG
- NVMFWS003N10MCT1G