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NTMFS005P03P8ZT1G
1个P沟道 耐压:30V 电流:164A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS005P03P8ZT1G
- 商品编号
- C5205616
- 商品封装
- SO-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.52克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 164A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 112nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.88nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.55nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 超低 RDS(on),提高系统效率
- 采用 5x6mm 先进封装技术,节省空间且导热性出色
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合 RoHS 标准
应用领域
-功率负载开关-保护功能:反向电流、过压和反向负电压保护-电池管理
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