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NTMFD001N03P9
1个N沟道 耐压:30V 电流:165A
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- 描述
- 特性：小尺寸封装（5x6mm），适合紧凑设计。 低导通电阻RDS(on)，可降低传导损耗。 低栅极电荷QG和电容，可降低驱动损耗。 无铅、无卤、符合RoHS标准。应用：DC-DC转换器。 系统电压轨
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFD001N03P9
- 商品编号
- C5205613
- 商品封装
- PQFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.178克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 165A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1mΩ@10V,40A | |
| 耗散功率(Pd) | 41W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V；1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@4.5V；7.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.575nF@15V；1.224nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 138pF@15V；42pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 用于快速开关的低栅极电荷
- 小封装尺寸 —— 比 TSOP - 6 小 30%
- ESD 保护栅极
- 通过 AEC Q101 认证 - NVTJD4001N
- 这些器件无铅且符合 RoHS 标准
应用领域
- 低端负载开关
- 锂离子电池供电设备 - 手机、个人数字助理（PDA）、数码相机（DSC）
- 降压转换器
- 电平转换
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