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NTD5C632NLT4G
1个N沟道 耐压:60V 电流:155A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTD5C632NLT4G
- 商品编号
- C5205589
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 155A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 115W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款 2.5V 指定的 N 沟道 MOSFET 采用先进的 PowerTrench 工艺制造，该工艺经过特别优化，可在最大程度降低导通电阻的同时，保持较低的栅极电荷，以实现卓越的开关性能。 与更大尺寸的 SO-8 和 TSSOP-8 封装相比，这些器件在极小的占位面积下实现了出色的功率耗散。
商品特性
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容,以最小化驱动损耗
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂,且符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC 转换器-负载开关-电池保护
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