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SI2365EDS-T1-GE3-HXY
SI2365EDS-T1-GE3-HXY
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- 描述
- 该P沟道场效应管最大漏极电流5A，漏源击穿电压20V，导通电阻30mΩ。器件在低压大电流应用中展现低导通损耗特性，适用于平板电脑电源分配、移动设备电池管理及便携式负载开关电路。其参数设计有助于减少发热并提升系统效率，紧凑的封装形式利于高密度电路板布局，满足消费类电子产品对空间利用率与电气性能的平衡需求。
- 商品型号
- SI2365EDS-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C54582401
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045918克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 550mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
商品概述
SI2365EDS-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用，具备ESD保护功能。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -5A
- RDS(ON) < 40mΩ，@ VGS = -4.5V
- RDS(ON) < 60mΩ，@ VGS = -2.5V
- ESD额定值：1500V HBM
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- SOT - 23封装
- P沟道MOSFET
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