温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTR4101PT1H-HXY
NTR4101PT1H-HXY
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该P沟道场效应管最大漏极电流3A，漏源击穿电压20V，导通电阻60mΩ。器件在低压电路中提供高效的反向开关控制，适用于智能手机电源路径管理、便携式设备电池保护及内部负载切换应用。其参数特性有助于平衡导通损耗与驱动需求，简化外围电路设计，满足消费类电子产品对紧凑布局与可靠运行的技术要求。
- 商品型号
- NTR4101PT1H-HXY
- 商品编号
- C54582403
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039796克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.3nC@2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
NTR4101PT1H采用先进的沟槽技术，以提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -20V，漏极电流ID = -3A
- 在栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 80mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
相似推荐
其他推荐
- SI2365EDS-T1-BE3-HXY
- NXV65UPR-HXY
- SI2374DS-T1-BE3-HXY
- DMN2050LQ-7-HXY
- SQ2310ES-T1_BE3-HXY
- SI2367DS-T1-BE3-HXY
- NTRV4101PT1G-HXY
- PMV28XPEAR-HXY
- PMV30XPAR-HXY
- PMV27UPEAR-HXY
- MMFTP330K-HXY
- PMV50UPEVL-HXY
- NTR3162PT1G-HXY
- NTR3162PT3G-HXY
- SI2312BDS-T1-BE3-HXY
- 2N7002PW-HXY
- IPD30N06S4L23ATMA2-HXY
- FDD13AN06A0-F085-HXY
- NVD5C688NLT4G-HXY
- RD3L220SNTL1-HXY
- RD3L220SNFRATL-HXY