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SI2374DS-T1-BE3-HXY
SI2374DS-T1-BE3-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管额定漏极电流4.5A，漏源击穿电压20V，导通电阻23mΩ，栅源驱动电压12V。器件在12V栅压下呈现低阻抗特性，直接影响导通损耗与热性能。此参数组合适用于台式外设电源分配、服务器板级负载开关及直流电机驱动电路。在20V以内系统中，它能提供确定的电流控制能力，满足对驱动电压有明确要求的电子设计需求。
- 商品型号
- SI2374DS-T1-BE3-HXY
- 商品编号
- C54582406
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041837克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 48pF |
商品概述
SI2374DS-T1-BE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 20V，漏极电流ID = 3.0A
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 35Ω
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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