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PMCM6501UPEZ
1个P沟道 耐压:20V 电流:7.3A
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMCM6501UPEZ
- 商品编号
- C552742
- 商品封装
- WLCSP-6(1x1.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.42nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的6凸块晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）P沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
- 低阈值电压
- 超小型封装:0.98 x 1.48 x 0.35 mm
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电(ESD)保护 >2 kV HBM
应用领域
-电池开关-高速线路驱动器-高端负载开关-开关电路