PMCM6501VNEZ
1个N沟道 耐压:12V 电流:9.6A
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMCM6501VNEZ
- 商品编号
- C552743
- 商品封装
- WLCSP-6(1x1.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 556mW；12.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 920pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 330pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术、6凸点晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）的N沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
- 低阈值电压
- 超小封装:0.98 x 1.48 x 0.35 mm
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电(ESD)保护 >2 kV HBM
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 低端负载开关
- 开关电路