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PMDPB55XP,115
2个P沟道 耐压:20V
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- 描述
- 双P沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，封装于小型无引脚超薄DFN2020-6 (SOT1118) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMDPB55XP,115
- 商品编号
- C552752
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 490mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.5nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 785pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
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起订量：1 个3000个/圆盘
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