- 引脚图
- 焊盘图
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PMDPB85UPE,115
PMDPB85UPE,115
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMDPB85UPE,115
- 商品编号
- C552757
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 82mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.17W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 514pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 59pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 78pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术、无引脚中功率DFN2020 - 6(SOT1118)表面贴装器件(SMD)塑料封装的双小信号P沟道增强型场效应晶体管(FET)。
商品特性
- 低阈值电压
- 沟槽MOSFET技术
- 极快速开关
- 2 kV静电放电(ESD)保护
应用领域
- 继电器驱动器
- 高端负载开关
- 高速线路驱动器
- 开关电路