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PMH550UNEH
1个N沟道 耐压:30V 电流:770mA
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- 描述
- N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用 Trench MOSFET 技术，采用无引脚超小型 DFN0606-3 (SOT8001) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMH550UNEH
- 商品编号
- C552955
- 商品封装
- DFN0606-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.006克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 770mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 670mΩ@4.5V,770mA | |
| 耗散功率(Pd) | 380mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 400pC@4V | |
| 输入电容(Ciss) | 30.3pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.7pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚超小型DFN0606-3（SOT8001）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 低阈值电压
- 极快的开关速度
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电（ESD）保护 >2 kV HBM
- 无引脚超小型超薄SMD塑料封装：0.62 × 0.62 × 0.37 mm
应用领域
- 继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路