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PMN20ENAX
1个N沟道 耐压:40V 电流:6.2A
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- 描述
- N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装为小型 SOT457 (SC- 74) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMN20ENAX
- 商品编号
- C552967
- 商品封装
- SOT-457
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.030833克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V,6.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 652mW；7.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 582pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
最新的950V CoolMOS™ P7系列为950V超结技术树立了新标杆，将一流的性能与先进的易用性相结合，这得益于英飞凌超18年的超结技术创新先驱经验。
商品特性
- 一流的品质因数：导通状态下的漏源电阻（RDS(on)）乘以输出存储能量（Eoss）；降低栅极电荷（Qg）、输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）
- 一流的IPAK导通状态下的漏源电阻（RDS(on)）
- 一流的3V栅源阈值电压（V(GS)th）和最小的±0.5V V(GS)th变化
- 集成齐纳二极管静电放电保护
- 一流的CoolMOS™质量和可靠性
- 全面优化的产品组合
应用领域
- 推荐用于LED照明、低功率充电器和适配器、智能电表、辅助电源和工业电源的反激式拓扑。
- 也适用于消费和太阳能应用中的功率因数校正（PFC）级。