温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PMN20ENAX
1个N沟道 耐压:40V 电流:6.2A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装为小型 SOT457 (SC- 74) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMN20ENAX
- 商品编号
- C552967
- 商品封装
- SOT-457
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.030833克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 652mW；7.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 582pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
最新的950V CoolMOS™ P7系列为950V超结技术树立了新标杆，将一流的性能与先进的易用性相结合，这得益于英飞凌超18年的超结技术创新先驱经验。
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 扩展温度范围 Tj = 175℃
- 沟槽MOSFET技术
- 通过AEC - Q101认证
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路