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PMN30XP,115
1个P沟道 耐压:20V
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- 描述
- P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT457（SC-74）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMN30XP,115
- 商品编号
- C552980
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 680mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术、小尺寸SOT457（SC - 74）表面贴装器件（SMD）塑料封装的P沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
-沟槽MOSFET技术-低阈值电压-增强的功率耗散能力,达1400 mW
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-高端负载开关-开关电路