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PMPB100ENEX
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.1A
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- 描述
- N沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽 MOSFET 技术,采用无铅中功率 DFN2020MD-6 (SOT1220) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMPB100ENEX
- 商品编号
- C553010
- 商品封装
- DFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042409克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 157pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用小型SOT457（SC - 74）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 扩展温度范围 Tj = 175℃
- 小型无引脚超薄SMD塑料封装:2 x 2 x 0.65 mm
- 镀锡的100%可焊侧边焊盘,便于进行光学焊接检查
- 静电放电(ESD)保护 > 2 kV HBM
- 沟槽MOSFET技术
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路