PMPB12UNEX
1个N沟道 耐压:20V 电流:11.4A
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMPB12UNEX
- 商品编号
- C553016
- 商品封装
- DFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@4.5V,7.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.22nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 102pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，封装于无引脚中功率DFN2020MD-6（SOT1220）表面贴装塑料封装。
商品特性
- 沟槽MOSFET技术
- 低阈值电压
- 外露的漏极焊盘，具有出色的热传导性能
- 锡镀100%可焊接侧焊盘，便于光学焊接检查
- 静电放电(ESD)保护 > 1 kV HBM
应用领域
- LED驱动器
- 电源管理
- 低边负载开关
- 开关电路
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
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