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PMPB20XPEAX

1个P沟道 耐压:20V 电流:7.2A

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描述
P- 沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用 Trench MOSFET 技术,采用无铅中功率 DFN2020MD-6 (SOT1220) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PMPB20XPEAX
商品编号
C553031
商品封装
DFN2020-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.03克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)7.2A
导通电阻(RDS(on))23.5mΩ@4.5V,7.2A
耗散功率(Pd)1.7W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)2.945nF@10V
反向传输电容(Crss)210pF@10V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

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