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PMPB43XPEAX

1个P沟道 耐压:20V 电流:5A

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描述
P 沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽 MOSFET 技术,采用无铅中功率 DFN2020MD-6 (SOT1220) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PMPB43XPEAX
商品编号
C553045
商品封装
DFN2020-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.03克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on))48mΩ@4.5V,5A
耗散功率(Pd)1.7W;12.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)23.4nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.55nF@10V
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

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