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PMPB43XPEAX
1个P沟道 耐压:20V 电流:5A
- 描述
- P 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用无铅中功率 DFN2020MD-6 (SOT1220) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMPB43XPEAX
- 商品编号
- C553045
- 商品封装
- DFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W；12.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚中功率DFN2020MD - 6（SOT1220）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 低阈值电压
- 沟槽MOSFET技术
- 可侧面焊锡浸润,便于光学焊锡检测
- 静电放电(ESD)保护>1 kV HBM(H1C类)
- 通过AEC - Q101认证
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-高端负载开关-开关电路