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PMPB55XNEAX
1个N沟道 耐压:30V 电流:3.8A
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- 描述
- N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用 Trench MOSFET 技术，采用无引脚中功率 DFN2020MD-6 (SOT1220) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMPB55XNEAX
- 商品编号
- C553050
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 550mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.25V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 255pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 扩展温度范围Tj = 175℃
- 小型无引脚超薄SMD塑料封装:2 x 2 x 0.65 mm
- 镀锡100%可焊侧焊盘,便于光学焊接检查
- 静电放电(ESD)保护>1.5 kV HBM
- 沟槽MOSFET技术
- 通过AEC - Q101认证
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 低端负载开关
- 开关电路