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PMPB29XNE,115
1个N沟道 耐压:30V 电流:5A
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- 描述
- N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用无引脚中功率 OFN2020MD-6 (SOT1220) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMPB29XNE,115
- 商品编号
- C553038
- 商品封装
- DFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@4.5V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.15nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管(FET)，封装为无引脚中功率DFN2020MD - 6 (SOT1220)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
商品特性
- 1 kV静电放电保护
- 小型无引脚超薄SMD塑料封装：2 x 2 x 0.65 mm
- 外露漏极焊盘，导热性极佳
- 镀锡侧焊盘，可100%焊接，便于光学焊接检测
应用领域
- 便携式设备充电开关-直流-直流转换器-电池供电便携式设备的电源管理-硬盘和计算机电源管理