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PMV164ENEAR
1个N沟道 耐压:60V 电流:1.6A
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- 描述
- N沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽 MOSFET 技术,封装在小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMV164ENEAR
- 商品编号
- C553083
- 商品封装
- TO-236AB(SOT-23)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.022克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 164mΩ@10V,1.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 640mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 110pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个3000个/圆盘
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