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PMV28UNEAR
1个N沟道 耐压:20V 电流:4.7A
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- 描述
- N 沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽 MOSFET 技术,采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMV28UNEAR
- 商品编号
- C553091
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@4.5V,4.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.05W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 490pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用沟槽 MOSFET 技术的 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
商品特性
- 低阈值电压
- 极快速开关
- 沟槽 MOSFET 技术
- 静电放电 (ESD) 保护 >2 kV HBM
- 通过 AEC-Q101 认证
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 低端负载开关
- 开关电路