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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PMXB350UPEZ

1个P沟道 耐压:20V 电流:1.2A

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品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PMXB350UPEZ
商品编号
C547271
商品封装
DFN1010-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.0165克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)1.2A
导通电阻(RDS(on))447mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)360mW;5.68W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)2.3nC@4.5V
输入电容(Ciss)116pF
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管(FET),采用无引脚超小型DFN1010D - 3(SOT1215)表面贴装器件(SMD)塑料封装。

商品特性

  • 沟槽MOSFET技术
  • 无引脚超小超薄SMD塑料封装:1.1 × 1.0 × 0.37 mm
  • 外露漏极焊盘,导热性能出色
  • 静电放电(ESD)保护1 kV HBM
  • 漏源导通电阻RDSon = 350 mΩ

应用领域

-便携式设备的高端负载开关和充电开关-电池供电便携式设备的电源管理-LED驱动器-直流-直流转换器

数据手册PDF