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PMXB43UNEZ
1个N沟道 耐压:20V 电流:3.2A
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- 描述
- 采用沟槽式MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚超小型DFN1010D - 3（SOT1215）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMXB43UNEZ
- 商品编号
- C547273
- 商品封装
- DFN1010D-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW；8.33W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 551pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚超小型DFN1010D - 3（SOT1215）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 沟槽MOSFET技术
- 无引脚超小超薄SMD塑料封装:1.1 × 1.0 × 0.37 mm
- 外露漏极焊盘,导热性极佳
- 高密度下极低的漏源导通电阻RDSon = 42 mΩ
- 具备1 kV静电放电(ESD)保护
应用领域
- 便携式设备的低端负载开关和充电开关
- 电池供电便携式设备的电源管理
- LED驱动器
- DC - DC转换器