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PMZ200UNEYL
1个N沟道 耐压:30V 电流:1.4A
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMZ200UNEYL
- 商品编号
- C547281
- 商品封装
- SOT-883
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 89pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
采用沟槽式MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚超小型DFN1006-3（SOT883）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 开关速度极快
- 低阈值电压
- 沟槽式MOSFET技术
- 静电放电(ESD)保护:2 kV HBM
- 无引脚超小型封装:1.0 × 0.6 × 0.48 mm
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路