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PMZB550UNEYL

1个N沟道 耐压:30V 电流:590mA

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描述
N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，封装于无引脚超小型DFN1006B-3（SOT883B）表面贴装塑料封装中。
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PMZB550UNEYL
商品编号
C547297
商品封装
SOT-883-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)590mA
导通电阻(RDS(on))670mΩ@4.5V,590mA
耗散功率(Pd)310mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))950mV
栅极电荷量(Qg)1.1nC@4.5V
输入电容(Ciss)30.3pF@15V
反向传输电容(Crss)4.2pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，封装于无引脚超小型DFN1006B-3（SOT883B）表面贴装塑料封装中。

商品特性

  • 沟槽MOSFET技术
  • 低阈值电压
  • 极快的开关速度
  • 静电放电（ESD）保护 >2 kV HBM
  • 超薄封装高度为0.37毫米

应用领域

  • 继电器驱动
  • 高速线路驱动
  • 低端负载开关
  • 开关电路

数据手册PDF

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