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PMZB600UNELYL
1个N沟道 耐压:20V 电流:0.6A
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- 描述
- N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用无铅超小 DFN1006B-3 (SOT883B) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，使用沟槽 MOSFET 技术。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMZB600UNELYL
- 商品编号
- C547299
- 商品封装
- SOT-883-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.008克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 470mΩ@4.5V,0.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 700pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 21.3pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(10000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个10000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交14单
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