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PMZB670UPE,315
1个P沟道 耐压:20V 电流:680mA
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- 描述
- P- 沟道增强模式场效应晶体管 (FET)，采用无铅超小型 DFN1006B-3 (SOT883B) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，使用沟槽 MOSFET 技术。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMZB670UPE,315
- 商品编号
- C547300
- 商品封装
- SOT-883-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.008克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 680mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 670mΩ@4.5V,400mA | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 87pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(10000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个10000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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