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PMZB670UPE,315
1个P沟道 耐压:20V 电流:680mA
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- 描述
- P- 沟道增强模式场效应晶体管 (FET)，采用无铅超小型 DFN1006B-3 (SOT883B) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，使用沟槽 MOSFET 技术。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMZB670UPE,315
- 商品编号
- C547300
- 商品封装
- SOT-883-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.008克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 680mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 670mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 87pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用沟槽 MOSFET 技术的 P 沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚超小型 DFN1006B - 3（SOT883B）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 开关速度极快
- 静电放电(ESD)保护高达 2 kV
- 低阈值电压
- 封装厚度仅 0.37 mm
- 沟槽 MOSFET 技术
应用领域
- 继电器驱动器
- 高端负载开关
- 高速线路驱动器
- 开关电路
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