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PSMN015-100P,127

1个N沟道 耐压:100V 电流:75A

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描述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的SiliconMAX标准电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品专为计算、通信、消费和工业应用而设计并通过相关认证。
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PSMN015-100P,127
商品编号
C547347
商品封装
TO-220AB​
包装方式
管装
商品毛重
3.38克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)75A
导通电阻(RDS(on))15mΩ@10V,25A
耗散功率(Pd)300W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)90nC@10V
输入电容(Ciss)4.9nF@25V
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

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