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PSMN0R9-30ULDX

1个N沟道耐压:30V 电流:300A

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品牌名称: Nexperia(安世)
商品型号: PSMN0R9-30ULDX
商品编号: C553214
商品封装: LFPAK56E-4
包装方式: 编带
商品毛重: 0.153571克(g)

商品参数

商品概述

SOT1023A 具有改进的爬电距离和电气间隙，满足 UL2595 要求。采用 LFPAK56 封装的 300 安培逻辑电平栅极驱动 N 沟道增强型 MOSFET。安世半导体（Nexperia）采用独特的“肖特基增强（SchottkyPlus）”技术的 NextPowerS3 产品系列，可实现高效率、低尖峰性能，通常这与集成肖特基或类肖特基二极管的 MOSFET 相关，但不会出现高漏电流问题。NextPowerS3 特别适用于高开关频率的高效应用。

商品特性

改进的爬电距离和电气间隙——满足 UL2595 要求
300 A 电流能力
雪崩额定值,在 IAS = 190 A 下进行 100% 测试
超低 QG、QGD 和 QOSS,实现高系统效率,特别是在较高开关频率下
具有软恢复功能的超快开关;s 因子 >1
低尖峰和振铃,适用于低 EMI 设计
独特的“肖特基增强(SchottkyPlus)”技术;在 25°C 下漏电流 < 1 μA,具有类肖特基性能
针对 4.5V 栅极驱动进行优化
低寄生电感和电阻
高可靠性夹片键合和焊片连接的 Power SO8 封装;无胶水、无引线键合,可在 150°C 下工作
可进行波峰焊接;外露引脚便于进行最佳目视焊接检查

应用领域

-有刷和无刷电机控制-需要增强爬电距离和电气间隙以满足 UL2595 要求的电池供电设备

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	300A
	导通电阻(RDS(on))	0.87mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	227W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	1.5V
	栅极电荷量(Qg)	109nC@10V
	输入电容(Ciss)	7.668nF
	反向传输电容(Crss)	445pF
	工作温度	-55℃~+150℃